PMV213SN,215 - NEXPERIA USA INC. - MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 500mA, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 280mW (Tj) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 1mA |
Tedarikçi Paketleme | TO-236AB |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 330 pF @ 20 V |