SIR608DP-T1-RE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 45V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 51A (Ta), 208A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 167nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -16V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 8900pF @ 20V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |