SI3459BDV-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 2.2A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 6-TSOP |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 350 pF @ 30 V |