TP0610K-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 185mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 23pF @ 25V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 350mW (Ta) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |