SI2309CDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 345mOhm @ 1.25A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 210pF @ 30V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |