SIHP11N80AE-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET E SERIES TO-220AB | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 800V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 804pF @ 100V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 78W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220AB |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |