SIHA11N80E-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP | |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 800V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1670pF @ 100V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 34W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220 Full Pack |
Paket / Kılıf | TO-220-3 Full Pack |