FCP190N65S3R0 - ONSEMI - MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.5V @ 1.7mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1350 pF @ 400 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 144W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220-3 |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |