SQ2362ES-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 550pF @ 30V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 3W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |