SQD40N06-14L_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 40A | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2105pF @ 25V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 75W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |