SIDR626LDP-T1-RE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 45.6A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8DC |
Derece | - |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5900 pF @ 30 V |
Kalifikasyon | - |