IRFB18N50KPBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB | |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 500V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2830pF @ 25V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 220W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220AB |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |