SIR640ADP-T1-GE3 - VİSHAY SİLİCONİX - MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41.6A (Ta), 100A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4240pF @ 20V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |