SI4840BDY-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 12.4A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2000pF @ 20V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-SO |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |