SIR410DP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 4.2W (Ta), 36W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |