SQP90142E_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 78.5A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 15.3mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4200pF @ 25V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 250W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220AB |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |