IRF510PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 43W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220AB |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |