SIDR626EP-T1-RE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 50.8A (Ta), 227A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.74mOhm @ 20A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 7.5W (Ta), 150W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8DC |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 7.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5130 pF @ 30 V |