SQJQ910EL-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Güç - Maks. | 187W |
Fet Tipi | 2 N-Channel (Dual) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2832pF @ 50V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 10A, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Fet Özelliği | Standard |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 8 x 8 Dual |