SIA537EDJ-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | N and P-Channel |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 7.8W |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 12V, 20V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.5A |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 455pF @ 6V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 16nC @ 8V |
FET Özelliği | Logic Level Gate |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SC-70-6 Dual |