GCMX080A120B2H1P - SEMIQ - SIC 1200V 80M MOSFET FULL-BRIDGE | |
Paketleme | Tray |
Paket / Kılıf | Module |
Montaj Tipi | Chassis Mount |
Konfigürasyon | 4 N-Channel (Full Bridge) |
Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | Silicon Carbide (SiC) |
Güç - Maks. | 119W (Tc) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1362pF @ 800V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 56nC @ 20V |
FET Özelliği | - |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 10mA |
Tedarikçi Paketleme | - |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |