SQJ992EP-T2_GE3 - VISHAY SILICONIX - DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 Dual |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 34W (Tc) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 446pF @ 30V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 56.2mOhm @ 3.7A, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Fet Özelliği | - |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 Dual |