PMGD780SN,115 - NEXPERIA USA INC. - MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 410mW |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 490mA |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 23pF @ 30V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 920mOhm @ 300mA, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 1.05nC @ 10V |
Fet Özelliği | Logic Level Gate |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 6-TSSOP |