SQ3989EV-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | 2 P-Channel (Dual) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 1.67W |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | - |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 400mA, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 11.1nC @ 10V |
FET Özelliği | - |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 6-TSOP |