SI3552DV-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | N and P-Channel |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 1.15W |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.5A |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | - |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.5A, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
FET Özelliği | Logic Level Gate |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Tedarikçi Paketleme | 6-TSOP |