SI6926ADQ-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 830mW |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 4.1A |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | - |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
Fet Özelliği | Logic Level Gate |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 8-TSSOP |