SQJ481EP-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 10A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 45W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 80 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |