SQJQ131EL-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S) | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 8 x 8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 280A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 10A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 600W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 8 x 8 |
Derece | Automotive |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 731 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 33050 pF @ 15 V |
Kalifikasyon | AEC-Q101 |