SISH615ADN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8SH |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 22.1A (Ta), 35A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8SH |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5590 pF @ 10 V |