IRFBE30PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 125W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | TO-220AB |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 800 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |