GC20N65F - GOFORD SEMICONDUCTOR - N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4 | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-220-3 Full Pack |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 10A, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 34W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | TO-220F |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1724 pF @ 100 V |