IRF640STRLPBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 200V 18A TO263 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | D²PAK (TO-263) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |