G3R450MT17D - GENESIC SEMICONDUCTOR - SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3 | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-247-3 |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4A, 15V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 88W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.7V @ 2mA |
Tedarikçi Paketleme | TO-247-3 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±15V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1700 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 18 nC @ 15 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 454 pF @ 1000 V |