FCA76N60N - ON SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 38A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 285nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 12385pF @ 100V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 543W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-3PN |
Paket / Kılıf | TO-3P-3, SC-65-3 |