SSM6J808R,LF - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O | |
FET Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 100µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 24.2 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +10V, -20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1020 pF @ 10 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.5W (Ta) |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C |
Derece | Automotive |
Kalifikasyon | AEC-Q101 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 6-TSOP-F |
Paket / Kılıf | 6-SMD, Flat Leads |