NTH4L028N170M1 - ONSEMI - SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1700 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 81A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 20V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 60A, 20V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 200 nC @ 20 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +25V, -15V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4230 pF @ 800 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 535W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-247-4L |
Paket / Kılıf | TO-247-4 |