TPH4R606NH,L1Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 32A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 16A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 500µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3965 pF @ 30 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.6W (Ta), 63W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOP Advance (5x5) |
Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |