IQD009N06NM5SCATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 42A (Ta), 445A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.3V @ 163µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 12000 pF @ 30 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3W (Ta), 333W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-WHSON-8-U02 |
Paket / Kılıf | 8-PowerWDFN |