BSP297H6327XTSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-261-4, TO-261AA |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.8W (Ta) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.8V @ 400µA |
Tedarikçi Paketleme | PG-SOT223-4 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 16.1 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 357 pF @ 25 V |