SI1016X-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89 | |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Konfigürasyon | N and P-Channel |
FET Özelliği | Logic Level Gate |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 485mA, 370mA |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | - |
Güç - Maks. | 250mW |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Paket / Kılıf | SOT-563, SOT-666 |
Tedarikçi Paketleme | SC-89 (SOT-563F) |