G6N02L - GOFORD SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 3A, 4.5V |
Fet Özelliği | Standard |
Maksimum Güç Tüketimi | 1.8W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 900mV @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1140 pF @ 10 V |