SI9435BDY-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5.7A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.3W (Ta) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |