RS1E180BNTB - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 18A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Tedarikçi Paketleme | CPT3 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2400 pF @ 15 V |