PSMN013-100YSEX - NEXPERIA USA INC. - MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 82A (Tj) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 1mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3775 pF @ 50 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 238W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | LFPAK56, Power-SO8 |
Paket / Kılıf | SC-100, SOT-669 |