IAUC100N04S6L025ATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - IAUC100N04S6L025ATMA1 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 2.56mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 24µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±16V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2019 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 62W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | Automotive |
Kalifikasyon | AEC-Q101 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TDSON-8 |
Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |