FCD4N60TM - ONSEMI - MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 50W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |