IPB100N10S305ATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 240µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 176 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 11570 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 300W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO263-3-2 |
Paket / Kılıf | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |