SQJB60EP-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 Dual |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 48W |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Özelliği | - |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 Dual |
Derece | Automotive |
Kalifikasyon | AEC-Q101 |