G180C06Y - GOFORD SEMICONDUCTOR - MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | N and P-Channel, Common Drain |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 69W (Tc), 115W (Tc) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 50A (Tc), 60A (Tc) |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V |
FET Özelliği | Standard |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 250µA, 4V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | TO-252-4 |