G2K3N10L6 - GOFORD SEMICONDUCTOR - MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | SOT-23-6 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 1.67W (Tc) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 536pF @ 50V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 2A, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
FET Özelliği | - |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-6L |